姓 名:俞世吉研
共
    性 别:男共济
336260 37
    出生年月:1970年10月

    职 称:研究员正门对面
网络督察
    专 业:物理电子学院
3362 3039
    社会兼职:研
同济
    研究方向:电子发射机理及材料、阴极电子源及微波器件技术正门

    从事专业领域科研情况和成果简介:kaoyangj
正门
    1.教育及学习经历：
kaoyangj
    1988.9-1992.7 就读于合肥工业大学材料科学与工程系本科网络督察
112室
    1992.9-1995.7 合肥工业大学材料科学与工程系攻读硕士学位网络督察

    1995.9-1998.10 中国科学院等离子体物理研究所攻读博士学位

    2.科研及工作经历：

    1998.10-2000.10 大连理工大学材料科学与工程博士后流动站工作

    2000.11- 中国科学院电子学研究所工作

    主要负责及从事电子发射材料及热阴极技术研发工作

    参加或承担完成多项国家级科研课题，主要有：

    (1)微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜的研究

    (2)高气压下介质阻挡放电沉积类金刚石膜及其机理研究

    (3)电弧离子镀(Ti, M)N硬质薄膜与硬质梯度薄膜研究

    (4)低气压等离子体合成功能薄膜的部分机理研究

    (5)大电流密度覆膜浸渍钡钨阴极技术研究

    (6)钪酸盐阴极在离子轰击作用下表面特性的研究

    (7)T4103型脉冲调制管(体稳定器电子管Y678)的研制

    (8)大电流密度钡钨阴极的应用研究

    3.共发表研究论文二十多篇，代表性论文有：

    (1)CVD of hard DLC films in a radio frequency inductively coupled plasma source. Thin solid films 390(2001):98(SCI, Ei)

    (2)基片预处理对MW-PCVD金刚石薄膜的影响.真空科学与技术学报 18(4)(1998):314(Ei )

    (3)WC-Co硬质合金表面MWPCVD金刚石膜去钴预处理的研究.高技术通讯4(1998):35( Ei )

    (4)感应耦合等离子体源制备硬质类金刚石膜的研究。核技术 26(2)(2003):125(Ei)

    (5)阴极测试的电子枪结构：初步试验及设计改进. 2002军用阴极电子源技术研讨会

    4.联系方式：

    Tel: E-mail:  考研共济网www.kaoyantj.com