姓名:秦福文 济
共
院
主要学历及工作经历:
　　秦福文，副教授，博士。1968年8月出生于辽宁省瓦房店市。1991年9月至1994年7月，在吉林大学电子工程系半导体物理与半导体器件物理专业攻读硕士研究生，获理学硕士学位。1998年3月至2003年12月攻读本校材料学专业在职博士，获工学博士学位（论文题目：RHEED原位监测的PEMOCVD方法及GaN基薄膜低温生长。导师：杨大智，顾彪）。  业
　 1994年7月13日至2003年11月，在大连理工大学电气工程与应用电子技术系工作，2003年12月转入物理系工作，现为大连理工大学三束材料改性国家重点实验室固定研究人员，1997年8月被聘为讲师；2002年10月被聘为副教授。 
　 1996年至1998年作为主要参加者参与完成了“氮化镓的PEMOCVD生长中的可控活化与活性粒子研究(No.19575006)”、“GaN薄膜的ECR等离子体增强MOCVD低温生长及其特性研究（No.69575003）”及“自组织GaN量子点结构的ECR－PEMOCVD生长及其特性研究(No.69976008)”三项国家自然科学基金项目，并与1996年至2000年参与完成一项“立方GaN及GaN基材料的PEMOCVD低温生长(No.715－011－0033)”国家八六三项目。目前正在承担一项国家自然基金项目“(Ga,Mn)N基稀磁半导体量子点的自组织低温生长与特性”（No.60476008）。在半导体薄膜特别是Ⅲ族氮化物薄膜的生长及特性研究方面有扎实的理论基础和丰富的实践经验。 
021-
研究领域（研究课题）: 336260 37
1.GaN基稀磁半导体量子点的低温生长与特性  辅导
2.多晶硅薄膜的低温生长与特性 kaoyantj
专
指导硕、博士生研究方向: 考
1.凝聚态物理  同济
2.微电子学与固体电子学 正门对面
课
出版著作和论文: 正门对面
近年来发表的主要论文有： 
1.秦福文，顾彪，徐茵，杨大智。氮化铝单晶薄膜的ECR－PEMOCVD低温生长研究。物理  课
　学报，2003，52 (5)：1240-1244 
2.秦福文，顾彪，徐茵，杨大智。蓝宝石衬底的ECR等离子体清洗与氮化的RHEED研究。  同济大学四平路
　半导体学报，2003，24 (6)：668-672 
3.秦福文，顾彪，徐茵，杨大智。GaN缓冲层上低温生长AlN单晶薄膜。半导体光电， 
　2003，24（1）：32-36 
4.王三胜，顾彪，徐茵，秦福文。用ECR－PEMOCVD方法在GaAs（001）衬底上制备GaN 
　量子点结构。半导体光电，2002，23：114 
5.Fu-wen Qin,　Biao Gu,　Yin Xu, Da-Zhi Yang.　 Effects of substrate 
　pretreatment conditions on quality of GaN films. 半导体光子学与技术（英 
　文版），2003，9（1）：26-29 
6.顾彪，徐茵，秦福文，王三胜。（001）GaAs衬底上立方GaN的低温生长。稀有金属， 
　1998，22（3）：143-145 

发明专利： 
发明名称:　电子回旋共振微波等离子体增强金属有机化学气相沉积外延系统与技术 
申请人：　　大连理工大学　（徐茵， 顾彪， 秦福文） 
专利号：　　ZL 01 1 01424.5　　 
授权公告日：2003年9月10日 

在读硕士、博士人数:
5
已毕业硕士博士人数:
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