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| 谭满清——中国科学院半导体研究所导师简介 |
| 2006-6-5 16:23:42 中国科学院半导体研究所 考研共济网 |
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谭满清共济
 博士,研究员,博士生导师,于1993年在北京师范大学获得硕士学位,1996年在北京理工大学获得博士学位,1996年至1998年在半导体研究所博士后流动站从事研究工作。1998年以后,在半导体研究所工作。目前主要从事长波长面发射半导体激光器和超辐射发光二极管的研制。在半导体光电器件研制及器件物理研究中, 共济 取得的主要学术成绩:在国内首次采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积技术实现半导体激光器光学膜,在器件腔面等离子处理技术、光学膜淀积技术、提高大功率器件可靠性等方面进行了系统研究,并应用到多种波长半导体激光器中,实现了该种工艺高重复率、批量生产;首次引用神经网络技术模拟实现了电子回旋共振等离子体化学气相沉积光学膜技术,并应用到工艺研究中;在国内率先实现了宽带宽、高功率超辐射发光二极管,器件指标达到国内领先、国际先进水平。在长波长面发射半导体激光器的研制中,进行了介质膜DBR、半导体DBR等方面的系统研究,取得阶段成果。另外,作为技术骨干参与了半导体激光器产业化研究开发,实现了多种半导体激光器批量生产。获国家科技进步二等奖一项,中国科学院一等奖一项、二等奖一项。在国内外学术刊物发表论文二十多篇,申请中国发明专利两项。 辅导 他所在的实验室有国际上较先进的设备,包括进口MBE设备、MOCVD设备、ECR CVD设备、各种材料性能测试设备、电极制备设备、管芯制备设备、各种后封装生产线、各种器件性能测试、老化设备等,具备很好的各种半导体光电子器件研究和生产所需的研究条件。 3362 3039
考
完成/在研主要项目研
- “863”项目:“量子阱TCAD”(1997-2000)
- “863”项目:“可调谐长波长垂直腔面发射激光器”(2001-2004)
正门对面
同济大学四平路
代表性论著正门对面
- Manqing Tan, Yongchang Lin, Study of reflection filter with high reflectivity and narrow bandwidth,Appl. Opt. Vol36(4): 827 – 830,1997,2
- 谭满清,林永昌,过渡金属超薄膜的光学性质及其应用”, 中国激光,Vol. A24(4):323 -326,1997,4
- 谭满清,茅冬生,ECR PLASMA CVD法淀积R<10-4的1310nm光电子器件增透膜技术的研究,光学学报, ,19(2): 235-238, 1999,2
- 谭满清,茅冬生,ECR PLASMA CVD法淀积980nm大功率半导体激光器端面光学膜技术”, 中国激光, Vol.A26(9) ,1999,9
- 谭满清,茅冬生,InP衬底表面的H2/N2等离子清洁技术,半导体学报, Vol 20(10) ,1999/10
- 谭满清,茅冬生,ECR PLASMA CVD法淀积808nm大功率半导体激光器光学膜工艺研究”,半导体学报, Vol20(7):589- 592, 1999 /7
- Manqing Tan, Yongchang Lin ,Design Method of reflection filter, Optical Interference Coatings, Optical Society of America, Loews Van- tana Canyon Re sort, Tucson, Arizona, Vol.9, 308-309, June 1998
- D. Mao, M. Tan, L. Chen ,Application of dielectric thin film by electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition for semi- conductor photoelectronic devices,Proceedings of SPIE, China,Vol.3547,315-318 ,Sept. 1998
- 谭满清,茅冬生,GaAs表面清洗技术,中国专利, 98124973.6,申请日: 1998年11月25日,1998
- 谭满清,茅冬生,InP表面清洗技术,中国专利, 99100810.3,申请日: 1999年2月14日, 1999
- 郭良等,本人排名第6位,“670nm半导体量子阱激光器批量生产“,获国家科技进步二等奖,中国科学院科技进步一等奖,2000
- 肖建伟等,本人排名第7位,高功率激光二极管列阵,中国科学院科技进步二等奖,2001
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